「ムーアの法則」が破られるかもしれない：トランジスタと同じ働きをする単分子
グラスゴー大学などのチームが、トランジスタと同様の働きをする新しい分子の設計・合成に成功した。
現在のフラッシュメモリには記録量の上限があるが、これが破られる可能性がある。
TEXT BY JAMES TEMPERTON
IMAGES BY LAIA VILA NADAL, FELIX IGLESIAS ESCUDERO, LEROY CRONIN, CRONIN GROUP, SCHOOL OF CHEMISTRY, UNIVERSITY OF GLASGOW
TRANSLATION BY RYO OGATA/GALILEO
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WIRED NEWS(UK) 2014.11.30 SUN
英国のグラスゴー大学と、スペインのロビラ・イ・ビルジリ大学の研究チームが、トランジスタと同じような働きをする新しい分子の設計・合成に成功した。
ムーアの法則（集積回路あたりのトランジスタ数は約2年ごとに2倍になるという法則）が破られるかもしれないブレークスルーだ。
現在のフラッシュメモリは、データセルの物理的な限界に束縛されている。
データセルには金属酸化物半導体（MOS）が使われているが、MOSコンポーネントは10nm以下での製造がほぼ不可能であり、これにより記録量の上限が決まっている。
今回、従来のデータ記憶コンポーネントに代えて、単一分子を使うという革新的技術が成功した。分子ひとつにマルチビットのデータを記憶させることができるようになると、ムーアの法則が破られる可能性がある。
カギとなるのは「ポリオキソ金属酸塩」
ポリオキソ金属酸塩（POM）と呼ばれるこの新しい金属酸化物クラスタについての論文は、『Nature』誌に掲載されている。
Nature Volume: 515, Pages: 545–549
Date published:(27 November 2014)DOI:
doi:10.1038/nature13951
Date published:(27 November 2014)DOI:
doi:10.1038/nature13951
フラッシュメモリに使われているトランジスタは、電源を切ってもオンやオフを「覚えている」。
これらのトランジスタの状態を0と1とすることでデータを保存できる。
研究チームは今回、フラッシュメモリと同じように電荷をとらえて振る舞うことができるPOM分子を設計、合成し制御することができた。
こうしたハイテク分子を開発する従来の試みは、大きな障害によって阻まれてきた。熱安定性の低さと高い抵抗のために、既存のガジェットでの利用に制限があったのだ。
しかし、グラスゴー大学のリー・クローニン教授は、
「われわれが開発したPOMの大きな利点のひとつは、すでに業界で広く使われているデヴァイスと一緒に組み立てられることだ。費用をかけて生産ラインを整備することなく、新方式のフラッシュメモリとして採用することができる」
と話す。
さらにこの新技術は、機密情報のより安全な保存にもつながるかもしれない。一度消去した機密データを復元することはできない「write-once-erase」と呼ばれる保存方法が可能になると研究チームは主張している。